(1) Tiristorlarlar dörd (və ya daha çox) ardıcıl N-P-N-P təbəqəli ikiqütblü keçiricili yarımkeçirici cihazların geniş təsnifatıdır. Tiristorlar təsnifatına aşağıdakılar daxildir: Silisium idarəli düzləndirici (silicon controlled rectifier SCR), TRIAC, idarə edən elektrodla kəsilən bərk cisimli dəyişdirici açar (gate turn off switch (GTO), silisiumla tənzimlənən açar (silicon controlled switch (SCS), DC diod (AC diode (DIAC), tək keçidli tranzistor (unijunction transistor (UJT), proqramlaşdırıla bilən tək keçidli tranzistor (programmable unijunction transistor (PUT). Bu bölmədə yalnız SCR nəzərdən keçirilir; lakin GTO da qeyd olunur.
(2) Şoklu dörd təbəqəli diod tiristoru 1950-ci ildə təklif edib. O, yalnız bir neçə il sonra General Elektrik-də tətbiq olunub. Hal-hazırda SCR vattlardan meqavatlara qədər güc səviyyələrini tənzimləmək üçün istifadə olunur. Kiçik siqnallı tranzistorlar kimi qablaşdırılan ən kiçik cihazlar təxminən 100V sabit cərəyanda 100 milliamper dəyişir. Ən böyük qablaşdırılmış cihazların diametri 172 mmdir, 10 000 V sabit cərəyanda 5600 amper dəyişir. Ən yüksək güclü SCR bir neçə düym (100 mm) diametrli bütöv yarımkeçirici platadan ibarət ola bilər. Silisium idarəli düzləndirici (SCR): (a) aşqarlı profil, (b) BJT-ə ekvivalent dövrə.
(3) Silisium idarəli düzləndirici yuxarıda Şəkil (a)-da göstərildiyi kimi idarəedici elektrodlu dörd təbəqəli dioddur. Qoşulmuş vəziyyətdə o cərəyanın bir qütblüyü üçün diod kimi işləyir. Qoşulmayanda o qeyri-keçiricidir. Əməliyyat, yuxarıda Şəkil (b)-də birləşmiş kollektorlu qatışıq