Tərs keçid. Fərz edək ki, n-tip kristal cərəyan mənbəyinin müsbət, p-tip krital isə mənfi qütbünə birləşdirilmişdir (d).
Bu zaman cərəyan mənbəyinin yaratdığı elektrik sahəsinin intensivlik vektoru ikiqat təbəqənin elektrik sahə intensivliyi ilə üst-üstə düşəcək. Xarici elektrik sahəsinin təsiri ilə n-tip kristaldan elektronlar, p-tip kristaldan deşiklər qarşılıqlı əks istiqamətlərə, ab sərhədindən kristalın əks uclarına doğru hərəkət edəcək.
Nəticədə, ab sərhədindəki ikiqat təbəqənin qalınlığı və deməli, kristalın ümumi elektrik müqaviməti artacaq – dövrədən, demək olar, elektrik cərəyanı keçməyəcəkdir (bax: sxem d).
• Elektrik yükdaşıyıcılarının yarımkeçirici kristallardan belə p-n keçidi tərs keçid adlanır.
Yarımkeçirici diod – bir p-n keçidindən və elektrik dövrəsinə birləşdirmək üçün iki kontaktdan ibarət cihazdır (e).
Yarımkeçirici diod n-tip keçiriciliyə malik germanium və ya silisium kristalından hazırlanır. Kristalın səthinə indium damcısı lehimlənir. İndium atomlarının əsas kristalın içərilərinə diffuziyası sayəsində kristalın həmin hissəsində p-tip keçiriciliyə malik sahə əmələ gəlir. Kristalın n- və p-tip keçiriciliyə malik sahələrinın sərhədində p-n keçidi yaranır. İndium kristalına lehimlənən kontakt anod, silisium (və ya germanium) kristalına lehimlənən kontakt isə katod olur.
Beləliklə, p-n keçidinə malik yarımkeçirici diod sabit cərəyanı yalnız bir istiqamətdə keçirir. Yarımkeçirici diodun biristiqamətli keçiriciliyi elektrik dövrələrində sxematik olaraq xüsusi işarə ilə göstərilir (f).