Təmiz yarımkeçiriciyə cüzi miqdarda aşqar qatıldıqda onun keçiriciliyi kəskin artır. Buna səbəb yarımkeçiricidə məxsusi keçiriciliklə yanaşı, aşqar keçiriciliyin də yaranmasıdır.
• Qatılan aşqar atomunun valent elektronlarının sayı yarımkeçiricinin atomunun valent elektronlarının sayından çox olarsa, o, donor aşqar (“donor” latın sözü olub, “verirəm” deməkdir) adlanır. Qatılan aşqar atomunun valent elektronlarının sayı yarımkeçirici atomunun valent elektronlarının sayından az olarsa, bu aşqar – akseptor aşqar adlanır (latın sözü “akseptor” – “qəbul edirəm” deməkdir).
• Donor aşqarlar – yarımkeçirici kristalı əlavə elektronla təmin edir: öz valent elektronunu asanlıqla verərək yarımkeçiricidə sərbəst elektronların sayını artırır. Məsələn, silisium kristalına aşqar kimi beşvalentli element olan fosfor qatıldıqda aşqarın dörd valent elektronu qonşu silisium atomları ilə kovalent rabitə yaradır. Fosforun beşinci elektronu isə onun atomunun əhatəsində dövr edir. Lakin o, atomla zəif əlaqədə olduğundan onu asanlıqla tərk edərək sərbəstləşir (bax: a).
Silisium kristalında bir neçə atom fosfor atomu ilə əvəz olunarsa, qəfəsin istilik hərəkəti sayəsində aşqarların hərəsi bir elektron verəcək. Xarici təsirə məruz qaldıqda aşqarın verdiyi bu elektronlara kovalent rabitədən qopan digər elektronlar və yaranan müsbət yüklü deşiklər də əlavə olunur.
Bu cür aşqarlı yarımkeçirici kristalında elektrik sahəsi yaradıldıqda ondan elektrik cərəyanı keçir. Lakin yaranan cərəyanda əsas yükdaşıyıcılar sayca böyük üstünlüyə malik elektronlar, qeyri-əsas yükdaşıyıcılar isə sayları nisbətən “az” olan müsbət yüklü deşiklərdir.
• Donor aşqarlı yarımkeçirici - əsasən elektron aşqar keçiriciliyə (n-tip keçiriciliyə) malikdir.
• Akseptor aşqarlar – yarımkeçirici kristalı əlavə deşiklərlə təmin edir: özünə əlavə valent elektronu birləşdirərək yarımkeçiricidə deşiklərin sayını artırır. Məsələn, silisium kristalına aşqar olaraq üçvalentli bor qatıldıqda aşqarın üç valent elektronu qonşu silisium atomları ilə yalnız üç cüt elektron rabitəsi yaradacaq. Dördüncü cüt rabitənin yaranması üçünsə bir elektron çatışmadığından onun yerində deşik qalır. Ora qonşu silisium atomundan bir valent elektronu keçə bilər. Bu halda qonşu atomun verdiyi elektron hesabına üçvalentli atom mənfi iona çevrilir, rabitə tamamlanır. Lakin elektronunu verən qonşu atomda isə deşik yaranır (bax: b).
Beləliklə, üçvalentli aşqar silisium atomundan elektron alaraq kristalda əlavə deşik yaradır. Nəticədə deşiklərin sayı elektronların sayından çox olur. Odur ki akseptor aşqarlı yarımkeçiricilərdə əsas yükdaşıyıcılar deşıklər, qeyri-əsas yükdaşıyıcılar isə elektronlardır.
• Akseptor aşqarlı yarımkeçirici - əsasən deşik aşqar keçiriciliyə (p-tip keçiriciliyə) malikdir.