Yuta ştatındakı Universitetitetin (ABŞ) mühəndisləri müstəvi yarımkeçirici materialın yeni növünü hazırlaya biliblər. Qalınlığı cəmi bir atom diametrində olan qalay oksidindən ibarət olan belə yarımkeçirici materialdan elektronlar və müsbət yüklər (deşiklər) silisium (və ya germanium) yarımkeçiricilərinə nisbətən daha sürətlə keçir. Bu isə çox böyük sürətli yeni nəsil elektron aparatların (kompüterlər, mobil telefonlar, sürətli internet sistemləri və s.) yaradılmasına imkan verirır.
Yarımkeçiricilərin daxili quruluşu metal və dielektriklərdən nə ilə fərqlənir?
Yarımkeçirici maddələrə aiddir: kimyəvi elementlərin dövri sistemində orta qrupların (IV, V və VI qruplar) 12 elementi (cədvəldə çəhrayı rənglə göstərilmişdir) (a); II və IV, III və V, III və VI qrup elementlərinin birləşmələri; demək olar ki, bütün qeyri-üzvi maddələr.